Объемные полупроводники, перовскиты, органические полупроводники

приглашенный

Владимир Исаакович Юдсон (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Электронный транспорт в слабо легированных системах

устный

Иван Дмитриевич Авдеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Модель Китинга поля валентных сил для ионных кристаллов халькогенидов свинца

Кирилл Юрьевич Голеницкий (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Генерация поверхностных волн на второй гармонике в анизотропных полупроводниках с центром инверсии

Ирина Владимировна Жевстовских (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Эффекты квазигидростатического давления в электрических и оптических свойствах галогенидных перовскитов

Кирилл Евгеньевич Капогузов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Нанопереключатели на основе VO2 для энергоэффективных нейроморфных вычислений

Андрей Юрьевич Клоков (ФИАН, Москва, Россия)
Применение фемтосекундной оптической методики накачка-зондирование для исследования анизотропии упругих свойств ленточных вискеров NbS3

Мария Сергеевна Кузнецова (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Нелинейные эффекты при двухфотонном возбуждении фотолюминесценции нанокристаллов перовскита CsPbX₃, внедрённых в стеклянную матрицу

Дмитрий Николаевич Лобанов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Структурные и оптические свойства слоев InGaN для нитридной оптоэлектроники красного диапазона

Сергей Александрович Миронов (ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
Исследование влияния подсветок в видимом диапазоне на со-противление, терагерцовое поглощение кристаллов ZnSe: Fe2+ и время жизни верхнего лазерного уровня 5T2 иона Fe2+

Леонид Николаевич Овешников (ФИАН, Москва, Россия)
Учёт вырождения зон при количественном анализе гальваномагнитных свойств и оптических спектров в терагерцовой области подложек p-GaSb

Станислав Александрович Рожков (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Определение зонной структуры Na2KSb: фотоэмиссионная спектроскопия и расчеты из первых принципов

Артем Вадимович Торопин (НИЯУ МИФИ, Москва, Россия)
Универсальный транспортный уровень для теоретического описания прыжкового транспорта в неупорядоченных органических полупроводниках

стендовый

Zibakhanum Iskandar Badalova (ИФ МНО РА, Баку, Азербайджан)
Упругие свойства магнитных полупроводников TlFeS2 и TlFeSe2

Надир Аллахверди Абдуллаев (ИФ МНО РА, Баку, Азербайджан)
Фононные и упругие свойства кристаллов TlInS2 гексагональной симметрии

Прохор Анатольевич Алексеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Наномемристор на основе галогенидного перовскита

Павел Сергеевич Бажин (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Определение ядерных локальных полей в GaAs:Mn при разной степени поляризации электронов

Кирилл Александрович Булгаков (МИСИС, Москва, Россия)
Повышение прозрачности перовскитных ячеек во VNIR диапазоне для тандемных ФЭП с гетероструктурным кремнием

Виктор Андреевич Воронов (МИСИС, Москва, Россия)
Применение покрытий ДМД в качестве полупрозрачных электродов для ПСЭ

Александра Викторовна Галеева (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Микроволновая фотопроводимость в условиях слабой локализации в гетероструктурах на основе AlxGa1-xAs:Si

Анастасия Борисовна Гордеева (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние свойств поверхности подложки на рост кристаллитов фталоцианина меди CuPc

Данил Дмитриевич Грень (МИСИС, Москва, Россия)
Перовскитные солнечные модули на радиационно-стойких подложках для применения в космосе

Максим Сергеевич Иванов (ЗабИЖТ ИрГУПС, Чита, Россия)
Резонанс одночастичных и плазмонных возбуждений в кристаллах (Bi2-хSbх)Teх (x=1.2, 1.4, 1.6)

Екатерина Александровна Ильичева (МИСИС, Москва, Россия)
Оптимизация технологии slot-die печати самоорганизующихся монослоев на поверхности NiOx для перовскитных ФЭП

Елена Васильевна Коненкова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Кристаллическая ориентация слоев GaN и AlN на подложке m-Al2O3 при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

Ниранджан Кумар (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Фононные моды в тонких пленках Na2KSb

Даниил Николаевич Литвиненко (НИЯУ МИФИ, Москва, Россия)
Разделение геминальной пары в органических полупроводниках: моделирование методом Монте-Карло

Лев Олегович Лучников (МИСИС, Москва, Россия)
Гетероструктуры 2D/3D-перовскита для ингибирования ионно-индуцированной деградации в галогенидных перовскитных солнечных элементах

Ирада Аюб Мамедова (ИФ МНО РА, Баку, Азербайджан)
Оптические свойства кристаллов TlInS2 гексагональной модификации

Владимир Николаевич Меньшов (ФИАН, Москва, Россия)
Механизмы межслоевой обменной связи в полупроводниковых соединениях EuM2X2 (M = Cd, Zn; X = As, Sb, P)

Александр Сергеевич Мыза (ФИАН, Москва, Россия)
Люминесцентные и оптические характеристики кристалла Lu2SiO5:Ce, выращенного в атмосфере молекул N2

Алена Андреевна Пахомова (МИСИС, Москва, Россия)
Модификация широкозонного перовскита для интеграции в высокоэффективные тандемные структуры с кремнием

Максим Николаевич Сарычев (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Объёмная и приповерхностная рекомбинация носителей заряда в гибридном перовските CH3NH3PbBr3

Глеб Вадимович Сегаль (МИСИС, Москва, Россия)
Масштабирование перовскитных солнечных модулей

Людмила Ефимовна Семенова (ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
Анализ резонансного рассеяния света на LO фононах при двухфотонном возбуждении в кристалле сульфида кадмия

Людмила Ефимовна Семенова (ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
Резонансное рассеяние света на 2LO фононах при двухфотонном возбуждении в кристалле CdS

Анна Васильевна Тараненко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Комбинационное рассеяние света, усиленное металлизирован-ным зондом атомно-силового микроскопа, от наноалмазов

Ильшат Ильдарович Усманов (ФИАН, Москва, Россия)
Исследование кинетики люминесценции слоистого соединения SnS2:Tm, синтезированного при высоком давлении

Наталья Алексеевна Черемных (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
ФотоЭДС в твёрдых растворах системы MnZn1-хСrSb

Станислав Николаевич Чмырь (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Шубниковские осцилляции отрицательного магнитосопротивления и микроволновой фотопроводимости в GaAs:Si

Поверхность, пленки, слои

приглашенный

Виталий Львович Альперович (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Преломление траекторий электронов на скачке массы при фотоэмиссии из полупроводников

устный

Владислав Олегович Гридчин (СПбАУ им. Ж. И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия)
Синтез и свойства нитевидных нанокристаллов GaN на темплейтах GaN/AlN/Si(111) для создания нанолазеров

Александр Александрович Корякин (СПбАУ им. Ж. И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия)
Механизмы фасетирования при селективном росте колончатых микрокристаллов GaN

Вера Вадимовна Лендяшова (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Светоизлучающие гетероструктуры на основе квантовых точек InAs на темплейтах GaAs/Si(100)

Николай Николаевич Михайлов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Температурная стабильность фотоэлектрических, оптических и структурных свойств HgCdTe множественных квантовых ям

Надежда Юрьевна Соловова (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Особенности роста и электронная структура Na2KSb(Cs) фотокатодов

Анна Александровна Спирина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние направления разориентации подложек GaAs{111} на развитие рельефа поверхности при отжигах (Монте-Карло моделирование)

Владислав Андреевич Шаров (СПбАУ им. Ж. И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия)
Измерение электролюминесценции одиночных непланарных наноструктур

Дмитрий Игоревич Якубовский (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Ультратонкие металлические пленки для гибкой и прозрачной оптоэлектроники: от графена к двумерным металлам

стендовый

Сергей Вячеславович Балакирев (ИНЭП ЮФУ, Таганрог, Россия)
Упорядоченные массивы квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs (001) и (111)

Аркадий Игоревич Баранов (ФИАН, Москва, Россия)
Роль теплопроводности подложки в кристаллизации тонких аморфных пленок Ge2Sb2Te5 векторным лазерным пучком

Артем Игоревич Баранов (СПбАУ им. Ж. И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование пассивирующих свойств различных оксидов (Al2O3, Ga2O3, TiO2, MoO) на развитой поверхности кремния

Захар Евгеньевич Вакулов (ИНЭП ЮФУ, Таганрог, Россия)
Формирование пленок титаната бария при различном давлении кислорода для нейроморфных применений

Лидия Сергеевна Волкова (ИНМЭ РАН, Москва, Россия)
Влияние термообработки на структурное состояние и оптические свойства массивов наностолбиков TiO2

Арслан Анварович Галиуллин (ФИАН, Москва, Россия)
Электрофизические и теплофизические свойства полимерных композитов с графеновыми нанопластинами

Анастасия Борисовна Гордеева (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Твердофазное изовалентное замещение элементов V группы в пластинах InP и GaAs с полуизолирующими свойствами

Тимофей Сергеевич Гришин (ИНМЭ РАН, Москва, Россия)
Материал-специфические особенности морфологической эволюции массивов наночастиц Au и Ag при низкотемпературном отжиге

Денис Евгеньевич Дураков (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
In situ отражательная электронная микроскопия графитизации по-верхности подложки 6H-SiC(0001) при высокотемпературном от-жиге

Айгуль Фанизовна Зиновьева (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Синтез однородного массива нанокристаллов CaSi2, встроенных в слой CaF2 на подложке Si(111)

Виталий Станиславович Ивченко (ФИАН, Москва, Россия)
Распространение поверхностных фонон-поляритонов в полярном кристалле SiC в присутствии h-BN

Рамиль Ильдарович Измайлов (МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Разработка и формирование вертикального p–n-перехода в нанокристаллических плёнках PbTe

Дмитрий Михайлович Казанцев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Тонкая структура в энергетических распределениях электронов, эмитированных из полупроводников с отрицательным электронным сродством: моделирование Монте-Карло

Данил Антонович Колосовский (ИТ им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия)
Газодинамическое управление режимом роста Вольмера–Вебера в сверхтонких металлических пленках

Матвей Игоревич Кондратов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Формирование слоёв GaAs на подложке Si методом селективной эпитаксии

Никита Дмитриевич Манцуров (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Кинетика кристаллообразования диоксида ванадия при отжигах упорядоченных массивов одиночных аморфных наноостровков

Николай Валерьевич Пестовский (ФИАН, Москва, Россия)
Передача энергии частицам окружающего газа от приповерхностных электронных возбуждений широкозонных материалов

Владимир Павлович Попов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Импеданс-спектроскопия псевдо-КНИ структур с высокоомными скрытыми TR-HR слоями в низкоомном кремнии

Родион Романович Резник (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Формирование золотых капель в упорядоченных отверстиях в слое SiOx на поверхности кремния для последующего селективного синтеза III-V нитевидных нанокристаллов

Ирина Владимировна Седова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование процесса окисления распределённых брэгговских отражателей GaAs/Al0.9Ga0.1As

Максим Сергеевич Солодовник (ЮФУ, Ростов-на-Дону, Россия)
Исследование процессов формирования КТ InAs/GaAs на структурированных методом капельного травления поверхностях

Наталия Евгеньевна Солодовник (ИНЭП ЮФУ, Таганрог, Россия)
Механизмы локального квазикапельного травления GaAs в точках воздействия фокусированным ионным пучком

Андрей Львович Степанов (КФТИ им. Е. К. Завойского ФИЦ КазНЦ РАН, Казань, Россия)
Формирование ионно-синтезированных слоев нанопористого германия и их оптические свойства

Татьяна Борисовна Чарикова (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Взаимосвязь электрических свойств и фотоэлектрических параметров в пленках сульфида свинца, легированных галогенами

Александр Яковлевич Шульман (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
К вопросу о «пиннинге» уровня Ферми в полупроводниках

Александр Яковлевич Шульман (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Уравнение эффективной массы в двухзонной модели Кэйна и метод огибающих функций

Алексей Владимирович Шуплецов (ФИАН, Москва, Россия)
Магнитосопротивление и эффект Холла в многослойном CVD графене

Иван Васильевич Щемеров (МИСИС, Москва, Россия)
Рост слоев оксида галлия на подложке SiC для уменьшения теплового сопротивления

Иван Дмитриевич Юшков (НГУ, Новосибирск, Россия)
Влияние структурных трансформаций, вызванных отжигом, на транспорт заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/Si

2D и 1D системы, гетероструктуры, сверхрешетки

приглашенный

Александр Васильевич Горбунов (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Фазовая диаграмма магнитоэкситонного конденсата

Вадим Михайлович Ковалёв (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Температурное поведение сопротивления двумерных систем, обусловленное межчастичным рассеянием носителей заряда

Артур Григорьевич Погосов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Электронный клапан Теслы

Сергей Анатольевич Тарасенко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эффекты взаимодействия структурированного света с полупроводниками

Виталий Анатольевич Ткаченко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Новые проявления одночастичной когерентности в мезоскопическом транспорте

устный

Сергей Владимирович Аксенов (ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, Россия)
Диссипативное управление откликом в майорановской проволоке

Владимир Яковлевич Алешкин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Влияние легирования на оже-рекомбинацию в узкозонных квантовых ямах гетероструктур HgTe/CdHgTe

Леонид Семенович Брагинский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Теория поверхностного фототока в гетеропереходах полупроводников в области экситонного поглощения

Владимир Александрович Волков (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Размерное квантование геликонов в 2D электронных системах

Илья Витальевич Горбенко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Управляемый dc током плазменный кристалл: усиление оптического сигнала и срыв в неустойчивость

Павел Дмитриевич Григорьев (ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, Россия)
Отрицательное магнитосопротивление в слоистых антиферромагнитных полуметаллах

Светлана Викторовна Гудина (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Критическое поведение проводимости в структуре с двойной кван-товой ямой на основе HgTe со слоями критической толщины

Алексей Андреевич Гуняга (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Орбитальный фотоиндуцированный эффект Фарадея в решётке проводящих дисков

Кирилл Романович Джикирба (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Плазмонный отклик метаповерхности, созданной решеткой из двумерных электронных полос

Сергей Иванович Дорожкин (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Гигантское перераспределение электронов в широкой квантовой яме в квантовом пределе по магнитному полю

Ирина Львовна Дричко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
АС-кондактанс в структуре n-InAlSb/InSb/InAlSb. Акустические исследования

Дмитрий Александрович Егоров (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Измерение температурных зависимостей длины e-e рассеяния и релаксации импульса методом магнитной фокусировки

Евгений Юрьевич Жданов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
V-образные зануления осцилляций Шубникова–де Гааза в высокоподвижных гетероструктурах GaAs/AlGaAs

Андрей Александрович Заболотных (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Плазменные колебания в 2D электронной системе в форме периодического массива полос

Алексей Сергеевич Кореев (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Спиновая структура двумерных электронных систем в окрестности ν = 1

Леонид Викторович Кулик (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Неупругое рассеяние света на возбуждениях лафлиновской жидкости

Дмитрий Андреевич Курмачев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Аномальные флуктуации кондактанса в мезоскопических проводниках на основе сильно разупорядоченного двумерного полуметалла в квантовых ямах HgTe

Ксения Александровна Мажукина (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Характеристики стимулированного излучения в лазерных структурах с квантовыми ямами CdHgTe/HgCdTe при различных длинах волн оптической накачки

Илья Иванович Минаев (ФИАН, Москва, Россия)
Исследование с помощью микроскопии сопротивления растекания тока барьерно-диодных гетероструктур A3B5

Илья Михайлович Моисеенко (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Плазмонные моды в двумерной электронной системе с щелевым резонатором

Алексей Алексеевич Морозов (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Плазменные моды в финитных плазмонных кристаллах

Валентин Юрьевич Мыльников (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Обратный эффект Фарадея в нанокольцах с дираковскими фермионами

Дмитрий Александрович Похабов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Транспортное детектирование гидродинамических электронных вихрей

Данил Александрович Родионов (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Усиленный плазмонами эффект увлечения в проводящей двумерной полосе

Владимир Владимирович Румянцев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Стимулированное излучение в гетероструктурах на основе HgCdTe с квантовыми ямами при оптической накачке импульсами различной длительности

Даниил Игоревич Сарыпов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Вязкое течение электронов с большим проскальзыванием в GaAs микросужениях

Дмитрий Александрович Свинцов (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Электромагнитный механизм чувствительности фототока двумерных систем к направлению волнового фронта

Денис Васильевич Фатеев (СФ ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия)
Краевые эффекты в двумерных плазмонных резонаторах

Николай Юрьевич Фролов (ФИАН, Москва, Россия)
Исследование особенностей взаимодействия когерентных фононов со светом в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaSb

стендовый

Заур Замирович Алисултанов (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Зонная структура квазиодномерной планарной топологической сверхрешётки

Владислав Романович Атласов (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Термоэлектрические свойства графена в условиях сильного электрон-дырочного рассеяния

Василий Валентинович Бельков (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Нелинейный электронный транспорт в теллурене

Максим Вадимович Боев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Роль межчастичных столкновений в транспортных свойствах двухкомпонентных двумерных электронных систем

Леонид Семенович Брагинский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Теория низкоразмерных двумерных систем с субволновым масштабом

Александр Викторович Германенко (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Инвертированный гармонический потенциал в задаче о движении частицы в графене в скрещенных магнитном и электрическом полях

Яна Алексеевна Герштейн (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Мемристоры на основе гексагонального нитрида бора: влияние дефектов, создаваемых сфокусированным ионным пучком

Альберт Маратович Даутов (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Синтез и свойства III-N наноструктур на Ван-дер-Ваальсовых слоях h-BN

Тамара Эстер Зедоми (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фото- и термоиндуцированные эффекты оптической перестройки в гибких нанокомпозитах As₂S₃/Au

Сергей Григорьевич Зыбцев (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Влияние продольного растяжения и поперечного сжатия на кристаллическую структуру и динамику ВЗП в TaS3

Алексей Александрович Иванов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Резонансные брэгговские структуры на основе сдвоенных квантовых ям III-N в периодической сверхъячейке

Антон Владимирович Иконников (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Остаточная фотопроводимость в трехслойных квантовых ямах InAs/GaInSb

Данила Андреевич Караулов (СПбПУ, Санкт-Петербург, Россия)
Низкотемпературная фотопроводимость квантовых ям GaAs/AlGaAs в терагерцовой области спектра в электрическом поле

Ольга Евгеньевна Лакунцова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs и сверхтонким метаморфным буферным слоем для однофотонных источников телекоммуникационного С-диапазона

Игорь Леонидович Любчанский (ДОНФТИ, Донецк, Россия)
Электронные спектры одномерных сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой: мультикомпонентные структуры

Илья Михайлович Мазуренко (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Универсальная реконструктивная поляриметрия с помощью инфракрасных фотодетекторов на основе структур графен-металл

Дмитрий Алексеевич Матиенко (ФИАН, Москва, Россия)
Фотоотклик проводимости CVD-графена в видимом и ближнем ИК диапазонах

Мехрдад Махмудович Махмудиан (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Кулоновское отталкивание и вигнеровская кристаллизация ло-кализованных электронов в HfO2

Константин Викторович Машинский (СФ ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия)
Зарождение краевого плазмона в графеновом прямоугольнике

Александр Миссавирович Минтаиров (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Элементарные магнитные заряды в полупроводниковых нано- структурах

Константин Дмитриевич Моисеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Асимметричные узкозонные гетероструктуры II типа на основе квантовых точек высокой плотности в системе InSb/In(Ga)As(Sb)

Михаил Юрьевич Морозов (СФ ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия)
Торцевое терагерцовое излучение краевым плазмоном в графеновой микроленте

Владимир Николаевич Неверов (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Универсальность критических индексов для переходов плато – плато квантового эффекта Холла

Артём Викторович Никонов (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Краевой плазмон, экранированный боковым металлом

Татьяна Олеговна Осколкова (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Управление населённостью экситонных состояний в муаровом потенциале при комнатной температуре

Станислав Дмитриевич Попов (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Влияние типа контакта на возникновение напряжения в режиме квантового эффекта Холла при отсутствии тока через образец

Сергей Олегович Поташин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эффект храповика в латеральном плазмонном кристалле: гигантское усиление за счёт интерференции «светлых» и «тёмных» мод

Шамиль Рашитович Саитов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Фотоэлектрические свойства и состояния ловушек в запрещенной зоне пленки нанопластинок CdSe/CdS

Анна Васильевна Тараненко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Плазмон-усиленные комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция от нанопроволок GaP

Максим Михайлович Тюменцев (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Расщепление фазового перехода в 1T-TaS_2 под действием одноосного растяжения

Михаил Александрович Фадеев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Фотолюминесцентные свойства нитевидных нанокристаллов InAsBiN на Si подложках

Михаил Александрович Фадеев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Экспериментальная оценка внутренних потерь в гетероструктуре с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1 – xTe

Дмитрий Алексеевич Фролов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Линейная поляризация зона–акцепторной ФЛ гетероперехода GaAs/AlAs

Софья Владиславовна Хазанова (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Изучение штарковского сдвига в гетероструктурах AIIIBV различного дизайна

Семён Андреевич Хахулин (СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия)
Оптическая модуляционная спектроскопия квантово-размерных структур на основе CdHgTe в среднем ИК диапазоне

Александр Викторович Шабанов (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Сдвиг Лэмба уровней Ландау в двумерных электронных системах в многомодовом резонаторе

Никита Андреевич Шандыба (ИНЭП ЮФУ, Таганрог, Россия)
Влияние режимов роста высокоплотных массивов ННК GaAs на их оптические и структурные свойства

Арина Андреевна Янцер (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Генерация стимулированного излучения в области 3.5 - 4.5 мкм при комнатной температуре в гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

OD системы

приглашенный

Дмитрий Сергеевич Смирнов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Теория генерации максимально запутанных фотонов полупроводниковыми системами с квантовыми точками

устный

Владимир Анатольевич Бурдов (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Связанные экситон-биэкситонные состояния в полупроводниковых нанокристаллах: тонкая структура спектра, времена генерации

Роман Борисович Васильев (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Модификация поверхности атомарно тонких полупроводников AIIBVI для управления 2D экситонами

Айдар Ильшатович Галимов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Многофотонные состояния из квантовой точки с трионом и нейтральным экситоном в микрорезонаторе

Александр Анатольевич Головатенко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Двухфотонный линейно-круговой дихроизм в нанокристаллах InP/ZnSe

Любовь Викторовна Котова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Особенности поляризованной люминесценции ансамбля локализованных экситонов

Александр Германович Милёхин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Наноскопия одиночных полупроводниковых наноструктур с пространственным и временным разрешением

Сергей Васильевич Некрасов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние промежуточных состояний на спиновую динамику экситона в непрямозонных в k-пространстве квантовых точках (In,Al)As/AlAs

Анна Валерьевна Родина (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние диэлектрического контраста на энергетический спектр и волновые функции электрона в наноструктурах

Ольга Олеговна Смирнова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Поляризованная экситонная фотолюминесценция ансамбля полупроводниковых коллоидных наноплателетов

стендовый

Кирилл Александрович Барышников (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Поляризация люминесценции экситона в одиночной квантовой точке при нерезонансном возбуждении через фононы

Матвей Николаевич Батаев (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние легирования перовскитных нанокристаллов CsPb(Br, Cl)3 на эффективность синей фотолюминесценции

Михаил Владимирович Дорохин (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Влияние размерного квантования на термоэлектрические свойства полупроводников на примере гетероструктур In(Ga)As/GaAs

Алексей Леонидович Зибинский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Конкуренция квантовых измерений и прыжков в спиновой динамике заряженных квантовых точек

Иван Владимирович Игнатьев (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Монослойные флуктуации размеров перовскитных нанокристаллов в стеклянной матрице

Владимир Петрович Кочерешко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние поперечного магнитного поля на продольный g-фактор экситона в квантовой яме/точке

Евгения Владимировна Кулебякина (ФИАН, Москва, Россия)
Динамика экситонной рекомбинации в перовскитных нанокристаллах CsPbI3 в матрице фторфосфатного стекла: переход от сильного к слабому размерному квантованию

Александр Александрович Ревин (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Автолокализованные дырки в нанокристаллах β-Ga2O3

Кирилл Игоревич Русских (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние сферической гетерограницы и поверхности на оптические свойства нанокристаллов InP/ZnSe и InP

Кирилл Аркадьевич Свит (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Природа люминесценции квантовых точек CdxZn1-xS, синтезированных в матрице бегеновой кислоты

Михаил Евгеньевич Суворов (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Влияние быстрого отжига и нанопрослоек олова на свойства массивов нанокристаллов кремния в диэлектрике, сформированных отжигом многослойных нанопериодических структур

Спин-зависимые явления

приглашенный

Владимир Александрович Зюзин (ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, Россия)
Аномальный эффект Холла в коллинеарных металлических антиферромагнетиках

Владимир Дмитриевич Кулаковский (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Динамика локализованных спинорных экситон-поляритонных конденсатов в двойных потенциальных ловушках в GaAs/AlAs микрорезонаторе при резонансном пикосекундном возбуждении

Иван Игоревич Рыжов (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Спектроскопия спиновых флуктуаций классических и новых полупроводниковых структур

устный

Григорий Владимирович Будкин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эффект увлечения спина фотонами в двумерных структурах

Максим Николаевич Давыдов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование оптического охлаждения ядерной спиновой системы по поперечной компоненте спиновой ориентации электронов в эффекте Ханле

Николай Владимирович Козырев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Ангармонизм осцилляций в эффекте Керра, вызванных ларморовой прецессией намагниченности ионов марганца в квантовых ямах и квантовых точках (AII,Mn)BVI

Иван Александрович Кокурин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Ферромагнетизм в (Ga,Mn)As: новый взгляд на проблему

Даниил Александрович Кустов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Исследование вклада поверхностных состояний в фотоэмиссию спин-поляризованных электронов из механически напряжённых Na2KSb(Cs,Sb) фотокатодов

Александр Валерьевич Пошакинский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Долгоживущие спиновые текстуры в двумерных сетках

Тимур Сезгирович Шамирзаев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Управление обменным взаимодействием в полупроводниковых наноструктурах

Антон Вячеславович Щепетильников (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Электрическое детектирование спинового резонанса с разрешением по времени

стендовый

Софья Алексеевна Андреева (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Псевдоспиновый ферромагнетизм в AlAs: исследование квантовых фазовых переходов методом ЭПР

Павел Сергеевич Борисов (АО «НИИМЭ», Москва, Россия)
Корреляционные свойства двух кубитов, соединённых спиновой цепочкой

Алексей Викторович Вальков (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Управление нелинейностью скирмионного осциллятора внешним магнитным полем

Владимир Леонидович Жиляков (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Оптическая ориентация и оптическое выстраивание экситонов в ансамбле случайно ориентированных перовскитных нанокристаллов

Ирина Леонидовна Калентьева (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Магниторезистивные светоизлучающие диоды с углеродным слоем

Иван Иванович Козлов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Магнитоиндуцированная циркулярная поляризация резонансного комбинационного рассеяния света с испусканием оптических фононов в двойных квантовых ямах CdTe/CdMnTe

Михаил Дмитриевич Рагоза (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Анизотропия эффекта оптической ориентации в непрямых в k-пространстве квантовых точках (In,Al)As/AlAs

Оксана Борисовна Романова (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
Магнитотранспортные эффекты в интерметаллических соединениях MnZn₁₋ₓCrₓSb

Любовь Викторовна Удод (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
Электронные переходы в хром замещенном антимониде марганца-цинка

Денис Владимирович Хомицкий (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Динамическая локализация проекции спина в двойной квантовой точке с помощью бигармонического электрического поля

Денис Владимирович Хомицкий (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Кинетическая модель спин-зависимой фотоэдс для квантовой ямы с близкорасположенным магнитным слоем

Анастасия Алексеевна Яковлева (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Высокотемпературный “металлический” ферромагнитный полу-проводник GaAs:Fe

Примеси и дефекты

приглашенный

Владимир Васильевич Гудков (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Физическая акустика ян-теллеровских примесей в полупроводниках

Александр Александрович Лебедев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Особенности радиационной стойкости широкозонных полупроводников SiC, GaN, Ga2O3

устный

Никита Сергеевич Аверкиев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Обменное рассеяние на нейтральных примесях в полупроводниках

Сергей Алексеевич Дворецкий (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Легированные индием широкозонные слои HgCdTe и кристаллическое состояние структуры

Игорь Васильевич Осинных (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Оптические и электрические свойства структур GaN:Mg, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Артем Михайлович Скоморохов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Оптическая регистрация кросс-релаксации примесных центров в алмазе

Анна Васильевна Соломникова (СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия)
Ключевые аспекты диагностики монокристаллического алмаза c примесью бора в неравновесном и квазиравновесном режимах

стендовый

Иван Анатольевич Александров (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Механизмы диффузии элементов третьей группы в InGaAs

Вафа Бейбала Алиева (ИФ МНО РА, Баку, Азербайджан)
Аномальные релаксационные процессы в слоистом кристалле TlGaSe₂

Лариса Викторовна Арапкина (ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
Диффузия атомов водорода в Si<B>/Si3N4 структурах

Дарья Александровна Зазымкина (ФИАН, Москва, Россия)
Нефелоксетический эффект в широкозонных материалах кубиче-ской сингонии, легированных Fe и V

Алексей Николаевич Клочков (НИЯУ МИФИ, Москва, Россия)
Эволюция электронных свойств гетероструктур на основе InGaAs с двумерным электронным газом при нейтронном облучении (in-situ исследования)

Дмитрий Владимирович Козлов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Динамика концентраций свободных носителей заряда в зонах при рекомбинации Шокли – Рида - Холла через состояния вакансий ртути в гетероструктурах КРТ с квантовыми ямами

Сергей Александрович Миронов (ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
Исследование люминесцентных и рекомбинационных характери-стик границ зерен в CVD-ZnSe

Сергей Николаевич Николаев (ФИАН, Москва, Россия)
Спектроскопия возбужденных состояний Tm3+ в матрице SnS2

Сергей Александрович Панкратов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Высокотемпературные методы формирования одноэлектронных структур в слое легированного бором кремния

Максим Николаевич Сарычев (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Влияние пьезоэлектричества на ян-теллеровский вклад в погло-щение ультразвуковых волн в кристалле CdSe:Cr

Анна Аркадьевна Скворцова (Московский Политех, Москва, Россия)
Магнитное управление пропусканием света в кристаллах фосфида галлия

Наталья Юрьевна Таврунова (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Динамические и статические свойства ян-теллеровской подсистемы в кристалле ZnTe:Cr

Константин Бернгардович Фрицлер (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Исследование дислокационной структуры эпитаксиальных слоев Ge на Si (001) методами селективного травления и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии

Никита Юрьевич Харин (СПбПУ, Санкт-Петербург, Россия)
Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в электрическом поле в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Высокочастотные явления в полупроводниках

приглашенный

Софья Алексеевна Андреева (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Плазмоны в низкоразмерных полупроводниках и сверхпроводниках: первое наблюдение плазменных волн в сверхпроводнике

устный

Иван Владимирович Андреев (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Визуализация двумерных плазмонов при помощи пространственно-разрешенной методики оптического детектирования микроволнового поглощения

Игорь Витальевич Загороднев (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Гибридизация магнонного с циклотронным и плазменным резонансами 2D электронного газа вблизи магнетика

Павел Борисович Родин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Спонтанные высокочастотные автоколебания в лавинных диодах на основе кремния и арсенида галлия

Елена Игоревна Титова (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Сверхбыстрые и малошумящие терагерцовые детекторы на ос-нове графена

Валерий Николаевич Трухин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Генерация терагерцового излучения в p-i-n диоде AlGaAs/GaAs при высоком уровне возбуждения

стендовый

Иван Владимирович Андреев (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Поперечные плазмон-поляритоны в поглощении двумерных электронных систем на диэлектрических подложках

Анна Андреевна Ляшенко (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Отклонение высокочастотной проводимости кремния с водородоподобной примесью от универсальности

Владимир Геннадьевич Попов (АО «ИнфоТеКС», Москва, Россия)
Генератор импульсов на основе ультракоротких лазерных импульсов

Сергей Сергеевич Пушкарёв (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Управление межмодовым интервалом ТГц квантово-каскадного лазера путём инжекции СВЧ-сигнала в тракт питания лазера

Иван Сергеевич Шинко (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Уширение плазменного резонанса в магнитном поле в двумерной электронной системе

Арина Андреевна Янцер (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Электромагнитный плазменный резонанс в GaAs мембранах с двумерным электронным слоем

Атомарно-тонкие полупроводники, наномеханика

приглашенный

Александр Юрьевич Кунцевич (ФИАН, Москва, Россия)
Межслоевая связь в ван-дер ваальсовых гетероструктурах: жесткость, прочность, трение, управление

Владимир Николаевич Манцевич (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Хиральный магнетизм в монослоях дихалькогенидов переходных металлов

устный

Прохор Анатольевич Алексеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Микродисковые светоизлучающие гетероструктуры SnS2/WS2/SnS2

Владимир Викторович Еналдиев (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Резонансные поглощение и фотогальванический эффект в твистронных сегнетоэлектрических гетероструктурах

Вадим Ярославович Покровский (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Структура образцов NbS3, претерпевших спинодальный распад, и протекание в них тока волны зарядовой плотности

Марина Александровна Семина (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Спин-долинная релаксация ридберговских экситонов в атомарно-тонких полупроводниках

Александр Васильевич Черненко (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Взаимодействие экситонов со свободными носителями заряда в монослоях ДПМ

Андрей Анатольевич Шевырин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Наномеханическое детектирование электронных вихрей

Захар Александрович Яковлев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Теория экситон-магнонного взаимодействия и взаимного увлечения в слоистом антиферромагнетике CrSBr

стендовый

Вероника Евгеньевна Бисти (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Внутрислоевое и межслоевое взаимодействие в муаровой сверхрешетке гетеробислоя MoSe2/WSe2

Михаил Михайлович Глазов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Терагерцовые переходы в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах

Михаил Михайлович Глазов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Экситонный изолятор в гетероструктурах на основе дихалькогенидов переходных металлов

Григорий Михайлович Голышков (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Влияние муара на внутрислоевые и межслоевые экситоны в гетеробислое MoSe2/WSe2

Андрей Александрович Гуськов (РТУ МИРЭА, Москва, Россия)
Численное моделирование динамики фототока в фототранзисторах на основе монослойного MoS2

Михаил Васильевич Дурнев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Линейная поляризация интерфейсных экситонов на латеральных гетеропереходах

Игорь Витальевич Загороднев (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Спонтанное упорядочение дипольных моментов в монослоях висмута с орторомбической структурой

Михаил Валериевич Кочиев (ФИАН, Москва, Россия)
Оптические свойства закрученных двумерных материалов

Василий Андреевич Кравцов (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Управление межслоевыми экситонами в гетеробислоях на основе сплавов дихалькогенидов переходных металлов

Максим Валерьевич Никитин (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Динамика волны зарядовой плотности при пространственно-неоднородном акустическом воздействии

Дарья Юрьевна Салтыкова (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Влияние механических колебаний на проводимость волны зарядовой плотности в (TaSe4)2I

Фотонные кристаллы, метаматериалы, нанофотоника, оптомеханика

приглашенный

Николай Алексеевич Гиппиус (Сколтех, Москва, Россия)
Метод резонансного подпространства для составных фотонно-кристаллических систем

Сергей Вячеславович Морозов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
РОС-лазер с вертикальным выводом излучения на основе струк-туре КЯ HgCdTe с брэгговской решеткой третьего порядка

Юрий Михайлович Серов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Новый дизайн источника одиночных фотонов телекоммуникационного диапазона: рекорд эффективности и анализ параметров

Николай Михайлович Шубин (ФИАН, Москва, Россия)
Связанные состояния в континууме как искусственные атомы: гигантское туннельное расщепление и виртуальные резонансы Фано

устный

Егор Сергеевич Вяткин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Генерация второй гармоники в закрученной двухслойной фотонной структуре

Игорь Андреевич Гайдученко (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Разработка и демонстрация терагерцового графенового детектора на кремниевой волноводной платформе

Всеволод Евгеньевич Захаров (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Пространственное распределение излучения различных мод в двумерных фотонных кристаллах

Игорь Вадимович Крайнов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Механизмы резонансного рассеяния и переизлучения фотонов в двухуровневой системе при импульсном возбуждении

Алексей Витальевич Новиков (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Светодиоды с Ge(Si) наноостровками для Si фотоники с выводом излучения в планарный волновод или в свободное пространство

Артём Викторович Перетокин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Поляризационные свойства люминесцентного отклика фотонных кристаллов с гексагональной решеткой: от линейной до циркулярной и вихревой поляризации

Егор Денисович Поленок (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Когерентное брэгговское рассеяние света на упорядоченном массиве плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs

Александр Михайлович Смирнов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Особенности фотолюминесценции нанотетраподов CdSe:Cu при взаимодействии с фотонными кристаллами

Владимир Викторович Чалдышев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Локализованный плазмонный резонанс в системах наночастиц Bi, Sb, As и P в AlGaAs

стендовый

Татьяна Дмитриевна Горелкина (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Управление распространением экситон поляритонов в CrSBr

Ольга Алексеевна Дмитриева (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Нелинейный отклик полупроводникового микрорезонатора с экситонными слоями

Владимир Анатольевич Зиновьев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Резонансные фотонные состояния в одиночных Si микродисках со встроенными GeSi квантовыми точками

Алексей Сергеевич Казаков (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Перестраиваемый метаматериал на основе двумерной электронной системы в геометрии разрезного кольцевого резонатора

Виктор Владимирович Кириенко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Усиление фототока в Ge/Si фотодиодах с квантовыми точками, содержащих двумерные решетки микроотверстий различной глубины

Алексей Владимирович Коротченков (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Оптическая анизотропия решётки металлических наночастиц

Галина Ароновна Крафтмахер (ФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия)
Оптическое и магнито-оптическое управление распространением микроволн при взаимодействии с киральными мета-средами и мета-диполями

Олжас Игоревич Кукенов (ТГУ, Томск, Россия)
Управление свойствами эпитаксиальных Ми-резонаторов GeSi, получаемых послеростовым отжигом в камере эпитаксии

Роман Олегович Маликов (ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
Максимально хиральный терагерцовый отклик моноклинной кремниевой метамембраны

Илья Александрович Милёхин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Повышение чувствительности поверхностно усиленной инфра-красной спектроскопии с помощью планарных массивов золотых наноантенн, заглублённых методом каталитического травления

Жанна Викторовна Смагина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Структура и оптические свойства кластеров точечных дефектов, введенных в кремний облучением ионами Ge+

Маргарита Станиславовна Соколова (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Дисперсия и эволюция запрещенных зон в трехмерных слоистых плазмонных кристаллах

Маргарита Владимировна Степихова (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Возможности локализации излучения в топологических дефектах типа замкнутых границ зерен в фотонных кристаллах

Олег Станиславович Трушин (ОП «Отдел микротехнологий» — Ярославль ОФТИ им. К. А. Валиева ЦПМ НИЦ «Курчатовский институт», Ярославль, Россия)
Киральный оптический отклик кремниевых наноспиралей, полученных методом наклонного напыления

Михаил Александрович Фадеев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Спектроскопия поглощения двухмерных плазменных кристаллов на основе квантовых ям HgTe/CdHgTe и GaAs/AlGaAs

Андрей Иннокентьевич Якимов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Усиление ближнего поля и фототока в слоях квантовых точек Ge/Si в ближнем ИК диапазоне локализованными поверхностными плазмонными модами

Полупроводниковые приборы и устройства

приглашенный

Владимир Изяславович Гавриленко (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Терагерцовые квантовые каскадные лазеры в квантующих магнитных полях

Дмитрий Владимирович Гуляев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Электронная компонентная база волоконно-оптических линий связи и радиофотоники на основе InGaAs/InAlAs/InP структур

Рустам Анварович Хабибуллин (МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Непрерывные квантово-каскадные лазеры терагерцового диапазона

устный

Максим Сергеевич Аксенов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Планарные и меза лавинные фотодиоды на основе InP/InGaAs/InP и InGaAs/InAlAs/InP гетероструктур

Андрей Владимирович Бабичев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Высокодобротные вертикальные микрорезонаторы для резервуарных вычислений

Сергей Леонидович Виноградов (ФИАН, Москва, Россия)
Исследования и разработки кремниевых фотоумножителей

Владислав Викторович Дюделев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Квантово-каскадные детекторы для длинноволнового инфракрасного диапазона

Павел Евгеньевич Копытов (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Высокоскоростные вертикально-излучающие лазеры диапазона 1300-1550 нм, изготовленные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания пластин

Наталья Владимировна Крыжановская (НИУ ВШЭ ― Санкт-Петербург, Санкт-Петербург, Россия)
Ширина линии генерации и относительный шум интенсивности высокодобротных дисковых микролазеров с InGaAs/GaAs квантовыми точками

Алексей Витальевич Новиков (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
SiGe гетероструктуры для «электронных» и «дырочных» кубитов

Станислав Игоревич Петров (АО «НТО», Санкт-Петербург, Россия)
Реализация разработки производственно-ориентированного оте-чественного эпитаксиального и планарного оборудования для материалов А3В5

Дмитрий Сергеевич Пономарев (ОСВЧПЭ, Москва, Россия)
Оптоэлектронный трансивер для импульсной терагерцовой спектроскопии

Константин Бернгардович Фрицлер (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Ge/Si PIN фотодиоды на основе гетероструктур, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

стендовый

Демид Суад Абрамкин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Новый AlGaN/AlN транзистор с покровным слоем AlGaN переменного состава

Дмитрий Алексеевич Белов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Двухсекционный терагерцовый квантово-каскадный лазер с двойным металлическим волноводом

Михаил Александрович Бобров (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Поляризационные шумы вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 89х нм гибридной конструкции

Инна Юрьевна Богуш (ИНЭП ЮФУ, Таганрог, Россия)
Прогнозирование электрохимических характеристик суперкон-денсаторов с применением методов машинного обучения

Василий Васильевич Боричок (МИСИС, Москва, Россия)
Моделирование процесса накачки люминофора для оптимизации излучения в SWIR-диапазоне

Илья Юрьевич Гензе (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Механизм изменения параметров границ раздела металл/InAlAs при температурном воздействии

Дмитрий Игоревич Горн (ТГУ, Томск, Россия)
Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешёточным барьером

Артём Евгеньевич Гришин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование дизайна активной области лазерной гетероструктуры на основе множественных напряженных квантовых ям

Александр Сергеевич Дашков (СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия)
Комплексный экспериментально-теоретический подход к исследованию источников и детекторов ИК и ТГц диапазонов

Илья Александрович Елисеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Связь особенностей спектров КРС и ФЛ с характеристиками сегнетоэлектрических фототранзисторов на основе α-In2Se3

Григорий Николаевич Ерошенко (ФИАН, Москва, Россия)
Оптические свойства полупроводниковых сверхрешеток на основе узкозонных полупроводников А3В5

Кирилл Сергеевич Жидяев (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Низковольтные быстродействующие тиристоры на основе структуры GaAs/AlGaAs

Вадим Викторович Ковалюк (МИСИС, Москва, Россия)
Поликристаллические пленки Pb1-xSnxTe:In на гибкой подложке: от структурных свойств к p–n-переходам и ИК-фотодетекторам

Илья Дмитриевич Копчинский (РКЦ, Москва, Россия)
Квантовая ёмкость двойной наведённой квантовой точки в нанопроводе – модель спинового кубита КНИ

Лев Яковлевич Литовский (НИЯУ МИФИ, Москва, Россия)
Терморезистивные свойства тонкоплёночных структур NbNx, полученных методом реактивного магнетронного напыления

Дмитрий Андреевич Михайлов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Определение концентрации метана с помощью перестраиваемого квантово-каскадного лазера среднего инфракрасного диапазона

Павел Олегович Михайлов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Управление состояниями кубитов на основе наведенных квантовых точек в кремнии

Николай Вячеславович Петякин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Графеновые частицы, синтезированные из терморасширенного графита, для гибкой печатной электроники

Артем Эдуардович Ризаев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эффект продольного пространственного выжигания носителей заряда в мощных полупроводниковых лазерах InGaAsP/InP с длиной волны 1.55 мкм

Алина Салаватовна Сагитова (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Газовая чувствительность ультрадисперсного нанокристаллического FexGa2-xO3 (x = 0.67; 1) со структурой β-Ga2O3

Илья Владимирович Самарцев (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Фоточувствительные структуры на длину волны более 1 мкм, выращенные на подложках Si

Сергей Олегович Слипченко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Многопереходные гетероструктуры тиристорного типа для быст-родействующих токовых ключей и импульсных источников ла-зерного излучения

Анатолий Маркович Стрельчук (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние облучения электронами высокой дозой и последующе-го отжига на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе карбида кремния

Максим Андреевич Суханов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
ИК фотоприемники на основе InAlSb/InSb гетероструктур

Владимир Васильевич Уточкин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Спектроскопия электролюминесценции в HgCdTe-структурах при латеральной токовой накачке

Евгения Дмитриевна Черотченко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Характеризация теплового рассеяния в ККЛ с помощью эф-фективной константы температуропроводности

Илья Сергеевич Шашкин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Квантоворазмерные гетероструктуры для модуляторов лазерного излучения с высоким коэффициентом экстинкции

Илья Васильевич Шушканов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
К вопросу о выборе оптимальной конструкции полупроводнико-вого лазера для работы в режиме модуляции усиления

Топология в полупроводниках

приглашенный

Эдуард Валентинович Девятов (ФИАН, Москва, Россия)
Топологические поверхностные состояния для альтермагнетиков

Зe Дон Квон (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Микроволновый отклик сетки топологических каналов в HgTe квантовых ямах критической толщины

Игорь Павлович Русинов (ФИАН, Москва, Россия)
Топологические изоляторы с антиферромагнитным упорядочением

Александр Михайлович Шикин (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Вейлевские полуметаллы и полуметаллы с замкнутой нодальной линией в системах на основе магнитного топологического изоля-тора MnBi2Te4

устный

Татьяна Павловна Макарова (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Управление топологической фазой и положением точки Дирака в Mn1-xPbₓBi₂₋ySbyTe₄

Андрей Анатольевич Максимов (ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия)
Низкотемпературные исследования комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах

Алексей Владимирович Ненашев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Простой взгляд на двумерные топологические изоляторы

Рамиль Асхатович Ниязов (НИЦ «Курчатовский институт» — ПИЯФ, Гатчина, Россия)
Немагнитный механизм обратного рассеяния на диффузионных островках в геликоидальных краевых состояниях

Олег Евгеньевич Терещенко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
HgSe vs HgTe: дираковский или вейлевский полуметалл?

Дмитрий Ремович Хохлов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Температурная зависимость амплитуды терагерцовой фотопроводимости в структурах на основе Hg1-xCdxTe

стендовый

Сергей Степанович Аплеснин (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
Акустоэлектрический эффект в полуметаллах MnZn₁₋ₓCrₓSb

Александр Олегович Баженов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Моделирование магнитных переходов в конечных многослойных структурах магнитного топологического изолятора MnBi2Te4

Семен Борисович Бобин (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Особенности поперечного магнитотранспорта в объемном n-HgTe с низкой электронной плотностью

Иван Михайлович Борисов (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Методика получения и исследования топологических электронных свойств 1T’-фазы MoS₂

Дмитрий Алексеевич Естюнин (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Аномальный перенос заряда при адсорбции щелочных металлов в топологических изоляторах на основе MnBi2Te4

Денис Вячеславович Ищенко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Рост плёнок топологических изоляторов на основе Bi2Te3 методом МЛЭ

Денис Сергеевич Катков (ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, Россия)
Микроскопическая модель хиральных фермионов для спинового квантового эффекта Холла

Рената Маратовна Лукманова (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Управление топологическими состояниями в TaSe₃

Анастасия Сергеевна Петякина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Изучение электронной структуры поверхности и транспортных свойств тонких проводящих слоев (111) PbSnTe

Станислав Дмитриевич Попов (ИФМ им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Наблюдение кирального магнитного эффекта в объемном n-HgTe с низкой концентрацией электронов

Наталья Петровна Степина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Электронный транспорт в пленках магнитных топологических изоляторов MnBi2Te4, выращенных с помощью МЛЭ

Максим Сергеевич Шустин (ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, Россия)
Управление нулевыми кинетическими модами в диссипативных топологических сверхпроводниках